Embora o mercado fotovoltaico seja dominado pelos módulos a base de silício, a tecnologia de filmes finos evoluiu e ganhou muito espaço nos últimos anos. A pequena quantidade de matéria prima utilizada, o potencial para produção em larga escala e o baixo custo de produção são características usadas como argumentos para justificar o emprego dessa tecnologia. Neste cenário, destacam-se as células solares de filmes finos de telureto de cádmio (CdTe), as quais são bastante promissoras e já são comercializadas. O CdTe é um material semicondutor do grupo IIB-VIA, o qual apresenta um elevado coeficiente de absorção, de aproximadamente 5.105 cm-1 e um gap óptico direto de 1,5 eV, muito próximo do máximo de energia da irradiação solar. Essas características possibilitam que esse material tenha máxima eficiência quântica teórica e seja um eficiente emissor de luz. Além disso, o telureto de cádmio tem a característica de apresentar tanto a condutividade do tipo p quanto do tipo n, dependendo apenas dos parâmetros de crescimento. Desse modo, filmes finos de CdTe foram eletrodepositados sobre vidro condutor nos potenciais de – 288 mV -576 mV, -800 mV, -1000 mV e -2000 mV, a temperatura ambiente. O eletrólito utilizado foi uma solução ácida, com pH 0,7, a qual continha íons cádmio e telúrio como espécies eletroativas. As técnicas difração de raios x (DRX), microscopia eletrônica de varredura (MEV), espectroscopia de energia dispersiva por raios X (EDX) e método de Mott-Shottky foram utilizadas para caracterizar os filmes finos de CdTe obtidos. De acordo com os resultados obtidos pela técnica de EDX e método de Mott-Shottky, os eletrodepósitos crescidos a -288 mV, -576 mV e -800 mV são filmes com condutividade do tipo p, ao passo que os filmes depositados a -1000 mV e -2000 mV são semicondutores tipo n. A eletrodeposição sob os potenciais -288 mV e -576 mV originou filmes com grãos bem crescidos e definidos, ao passo que os filmes depositados a -800 mV, -1000 mV e -2000 mV não apresentam grãos bem definidos e uniformes. Deposições feitas em potenciais mais negativos originam filmes com grãos menos crescidos, menos cristalinos e, conseqüentemente, menos condutores. A análise de raios X permitiu inferir que os filmes crescidos a -288 mV, -576 mV e -800 mV apresentam estrutura cristalina, enquanto os filmes depositados a -1000 mV e -2000 mV são amorfos. A célula solar construída utilizando-se os filmes finos depositados a -288 mV e -2000 mV apresentou performance, em termos de corrente elétrica, abaixo de performances de células de primeira geração, segunda geração e terceira geração.