No presente trabalho foram produzidos filmes de Cu1-xInxSe2 pela técnica spray-pirólise automatizada, e preparados protótipos de homojunção de n-CIS/p-CIS. Investigaram-se os efeitos das condições de deposição como temperatura de substrato (T), tempo de deposição (t), fluxo (φ) e variação de estequiometria da solução precursora, assim como a determinação da curva característica (IxV) obtida em polarização direta. As micrografias da morfologia da superfície dos filmes indicaram que estes apresentam aspecto contínuo, homogêneo e sem trincas. A caracterização por difração de raios X mostrou que os picos mais intensos são (204/220), referentes a fase CuInSe2. O tamanho de cristalito variou entre 41,2 até 43,5 nm. Na caracterização elétrica os filmes apresentaram energia de ativação do processo de condução elétrica entre 0,68 a 0,89 eV. A resistência de folha apresentou ordem de grandeza de 109 GΩ/□ e a resistividade elétrica na temperatura ambiente variou de 4,1 a 15,2 KΩm. O maior coeficiente de absorção alcançado foi de 7,2 x 103 cm-1 e gap ótico variou de 1,4 a 1,6 eV. Por meio do cálculo do número de mérito obteve-se que a condição de deposição mais adequada para filmes visando à aplicação como camada absorvedora foi: T=400 °C, φ =1 mL/min, t=10 min e estequiometria de Cu0,6In0,4Se2. Através das curvas características (IxV) dos protótipos de homojunção de n-CIS/p-CIS, observou-se elevada resistência em série de 6,8 a 9,0 KΩ e um fator de idealidade na faixa de 2,6 a 3,7, tendo o protótipo da homojunção n-Cu0,7In0,3Se2/p-Cu0,4In0,6Se2 apresentado o melhor desempenho. Os filmes analisados neste trabalho apresentaram valores mais elevados para o coeficiente de absorção, mas ainda não alcançaram o valor de 104. Também apresentaram maior rugosidade e resistência de folha quando comparados com os filmes de CIS depositados pela técnica de spray-pirólise não automatizada.